КП505А

КП505А
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом.
КП505А предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателей и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемый для народного хозяйства.
Обозначение технических условий: АДБК.432140.691 ТУ.
Корпусное исполнение: пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92).

Технические характеристики

Характеристики полевых МОП транзисторов с изолированным затвором и каналом n-типа
КП505А, КП505Б, КП505В, КП505Г:

Тип
полевого транзистора
Р МАКС Предельные значения параметров при Т=25°С Значения параметров при Т=25°С Т ОКР
UСИ МАКС UЗС МАКС UЗИ МАКС IС МАКС UЗИ ПОР RСИ отк IЗ УТ S IС ОСТ C11И C12И C22И tвкл tвыкл
Вт В В В А В Ом нА А/В мкА пФ пФ пФ нс нс °С
КП505А 1,0 50 - ±10 1,4 0,8…2 <0,5 ±100 >0,5 <1 <425 <75 <170 33 180 -60…+125
КП505Б 1,0 50 - ±10 1,4 0,8…2 <0,5 ±100 >0,5 <1 <425 <75 <170 33 180 -60…+125
КП505В 1,0 60 - ±10 1,4 0,8…2 <0,5 ±100 >0,5 <1 <425 <75 <170 33 180 -60…+125
КП505Г 0,7 8 - ±10 0,5 0,4…0,8 <1,2 ±100 - <1 <425 <75 <170 33 180 -60…+125

Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов:
Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора.
UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток.
UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток.
UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток.
IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора.
UЗИ ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
g22И - активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком.
RСИ отк - сопротивление сток-исток в открытом состоянии полевого транзистора. Сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток, меньшем напряжения насыщения.
IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.
S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.
C11И - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.
C12И - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
C22И - выходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
tвкл - время включения полевого транзистора.
tвыкл - время выключения полевого транзистора.
Т ОКР - температура окружающей среды.
Назад