2Т9105АС
Сборки 2Т9105АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 100...500 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами.
Сборка содержит внутренние LС-звенья для каждого транзистора.
Тип сборки указывается на корпусе.
Масса сборки не более 10 г.
Тип корпуса: КТ-45.
Технические условия: аА0.339.529 ТУ.

Основные технические характеристики сборки 2Т9105АС:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 160 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 660 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 16 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 120 мА (50В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не более 160;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 240 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3 дБ
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 100 Вт на частоте 500 МГц;
• tрас - Время рассасывания: не более 12 нс

Найти и купить

Технические характеристики

Технические характеристики транзисторной сборки 2Т9105АС, КТ9105АС:

Тип транзисторной сборки	Структура	Предельные значения параметров при Тп=25°С							Значения параметров при Тп=25°С							TП max	Т max
		IК max	IК. И. max	UКЭR max	UКБ0 max	UЭБ0 max	UПИТ max	РК. СР. max	h21Э	UКЭ нас.	IКЭR	IЭБО	f гp.	PВЫХ	КУР	TП max	Т max
		А	А	В	В	В	В	Вт		В	мА	мА	ГГц	Вт	дБ	°С	°С
2Т9105АС	n-p-n	16	-	50	-	4	28	160	<160	-	<120	<60	>0,66	>100	>3	160	-60…+125
КТ9105АС	n-p-n	16	-	50	-	4	28	133	<160	-	<120	<60	>0,66	>100	>3	160	-60…+125

Условные обозначения электрических параметров транзисторной сборки:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю.
• UКБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• UПИТ max - максимально допустимое напряжение питания.
• РК.СР. max - максимально допустимая средняя мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• PВЫХ - выходная мощность транзистора.
• КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.