SS8050
Транзистор SS8050 кремниевый, биполярный, структуры n-p-n для ключевых и линейных схем, выходных каскадов усилителей НЧ.
Предназначен для применения в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

Найти и купить

Технические характеристики

Технические характеристики и электрические параметры транзистора SS8050:

Структура транзистора:	n-p-n
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер, не более:	25 В
Максимально допустимое напряжение коллектор-база, не более:	40 В
Максимально допустимое напряжение эмиттер-база, не более:	6 В
Макcимальный ток коллектора, не более:	1,5 А
Рассеиваемая мощность, не более:	1 Вт
Предельная температура перехода:	+150 °C
Статический коэффициент передачи тока:	100… 200
Граничная частота коэффициента передачи тока, не менее:	100 МГц