КП707А
КП707А Технические характеристикиХарактеристики полевых транзисторов с изолированным затвором и каналом n-типа
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Тип полевого транзистора |
Р МАКС | Предельные значения параметров при Т=25°С | Значения параметров при Т=25°С | Т ОКР | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| UСИ МАКС | UЗС МАКС | UЗИ МАКС | IС МАКС | UЗИ ОТС | RСИ отк | IЗ УТ | S | IС НАЧ | C11И | C12И | C22И | tвкл | tвыкл | |||
| Вт | В | В | В | А | В | Ом | нА | А/В | мА | пФ | пФ | пФ | нс | нс | °С | |
| КП707А | 100 | 400 | - | 20 | >15 | 5 | <1 | <100 | >1,5 | 0,1 | <1600 | <45 | <600 | - | <80 | -60…+100 |
| КП707Б | 100 | 600 | - | 20 | >10 | 5 | <2 | <100 | >1,5 | 0,1 | <1600 | <45 | <600 | - | <80 | -60…+100 |
| КП707В | 100 | 750 | - | 20 | >7 | 5 | <3 | <100 | >1,5 | 0,1 | <1600 | <45 | <600 | - | <80 | -60…+100 |
| КП707Г | 100 | 700 | - | 20 | >8 | 2...5 | <2,5 | <100 | >1,5 | 0,1 | >1200 | - | - | - | - | -60…+100 |
| КП707Д | 100 | 500 | - | 20 | >12 | 2...5 | <1,5 | <100 | >1,5 | 0,1 | >1200 | - | - | - | - | -60…+100 |
| КП707Е | 100 | 750 | - | 20 | >8 | 2...5 | <5 | <100 | >1,5 | 0,1 | >1200 | - | - | - | - | -60…+100 |
Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов:
• Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора.
• UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток.
• UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток.
• UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток.
• IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора.
• UЗИ ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
• g22И - активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком.
• RСИ отк - сопротивление сток-исток в открытом состоянии полевого транзистора. Сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток, меньшем напряжения насыщения.
• IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.
• S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
• IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.
• C11И - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.
• C12И - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
• C22И - выходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
• tвкл - время включения полевого транзистора.
• tвыкл - время выключения полевого транзистора.
• Т ОКР - температура окружающей среды.
