2ТС398Б-1
Транзисторные сборки 2ТС398Б-1, состоящие каждая из двух изготовленных на одном кристалле кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n усилительных транзисторов с раздельными выводами.
Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре в широкополосных балансных, дифференциальных и операционных усилителях и других каскадах, в которых требуется идентичность параметров двух транзисторов.
Транзисторы 2ТС398А-1, 2ТС398Б-1, КТС398А-1, КТС398Б-1 бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием без кристаллодержателя.
Поставляются в сопроводительной таре, позволяющей проводить измерение электрических параметров без извлечения из нее сборок.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,005 г.
Технические условия: СБ0.336.063 ТУ.

Найти и купить

Технические характеристики

Характеристики транзисторных сборок 2ТС398А-1, 2ТС398Б-1, 2ТС398А-1Н, 2ТС398Б-1Н:

Тип транзисторной сборки	Структура	Предельные значения параметров при Тп=25°С						Значения параметров при Тп=25°С								TП max	Т max
		IК max	IК. И. max	UКЭR max	UКБ0 max	UЭБ0 max	РК max	h21Э	UКЭ нас.	IКБО	IЭБО	IКЭR	f гp.	СК	СЭ	TП max	Т max
		мА	мА	В	В	В	мВт		В	мкА	мкА	мкА	МГц	пФ	пФ	°С	°С
2ТС398А-1	n-p-n	10	20	10	10	4	30	40…250	-	<0,5	-	-	>1000	<1,5	<2	150	-60…+125
2ТС398Б-1	n-p-n	10	20	10	10	4	30	40…250	-	<0,5	-	-	>1000	<1,5	<2	150	-60…+125
2ТС398А-1Н	n-p-n	10	20	10	10	4	30	40…250	-	<0,5	-	-	>1000	<1,5	<2	150	-60…+125
2ТС398Б-1Н	n-p-n	10	20	10	10	4	30	40…250	-	<0,5	-	-	>1000	<1,5	<2	150	-60…+125

Условные обозначения электрических параметров транзисторных сборок:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.