2Т9101АС
Сборки 2Т9101АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 350...700 МГц в схеме с общей базой при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Сборка содержит внутренние согласующие LС-звенья для каждого транзистора.
Тип сборки указывается на корпусе.
Масса сборки не более 7 г.
Тип корпуса: КТ-44.
Технические условия: аА0.339.523 ТУ.

Основные технические характеристики 2Т9101АС:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 130 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 350 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 30 мА (50В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 150 пФ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 100 Вт на частоте 700 МГц;
• tрас - Время рассасывания: не более 45 нс

Найти и купить

Технические характеристики

Технические характеристики транзисторной сборки 2Т9101АС, КТ9101АС:

Тип транзисторной сборки	Структура	Предельные значения параметров при Тп=25°С							Значения параметров при Тп=25°С							TП max	Т max
		IК max	IК. И. max	UКЭR max (UКЭ0 max)	UКБ0 max	UЭБ0 max	UПИТ max	РК. СР. max (РК. Т. max)	h21Э	UКЭ нас.	IКБО	IЭБО	f гp.	PВЫХ	КУР	TП max	Т max
		А	А	В	В	В	В	Вт		В	мА	мА	ГГц	Вт	дБ	°С	°С
2Т9101АС	n-p-n	7,5	-	-	50	4	28	130	-	-	<30	<80	>0,35	>100	>3,5	190	-60…+125
КТ9101АС	n-p-n	7,5	-	-	50	4	28	130	-	-	<30	<80	>0,35	>100	>3,5	190	-45…+85

Условные обозначения электрических параметров транзисторной сборки:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю.
• UКБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• UПИТ max - максимально допустимое напряжение питания.
• РК.СР. max - максимально допустимая средняя мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• PВЫХ - выходная мощность транзистора.
• КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.