BD139
Транзисторы BD139 кремниевые, биполярные, структуры n-p-n, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: ТО-126.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

Найти и купить

Технические характеристики

Технические характеристики и электрические параметры транзистора BD139:

Структура транзистора:	n-p-n
Максимально допустимое напряжение коллектор-база, не более:	100 В
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер, не более:	80 В
Максимально допустимое напряжение эмиттер-база, не более:	5 В
Макcимальный ток коллектора, не более:	2 А
Рассеиваемая мощность, не более:	8 Вт
Предельная температура перехода:	+150 °C
Статический коэффициент передачи тока:	100…250
Граничная частота коэффициента передачи тока, не менее:	190 МГц