1N4448
Диоды 1N4448 кремниевые, импульсные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Для обозначения полярности диодов используются условная маркировка кольцевыми полосами на корпусе со стороны катодного вывода.
Масса диода не более 0,15 г.
Тип корпуса: SOD27 (DO-35).

Найти и купить

Технические характеристики

Технические характеристики диода 1N4448:

Наименование диода	V_RRM	V_RMS	V_DC	IF_(AV)	I_FSM	I_R(AV)	V_F	I_R	t_rr	C_J	T_j
	В	В	В	А	А	мкА	В	мкА	нс	пФ	°C
1N4448	100	-	-	0,2	4,0	-	0,72	3	4,0	4,0	-65…+200

Условные обозначения электрических параметров диодов:
• V_RRM - Максимальное повторяющееся импульсное обратное напряжение.
• V_RMS - Максимальное среднеквадратичное значение напряжения.
• V_DC - Максимальное постоянное запирающее напряжение.
• I_F(AV) - Средний прямой выпрямленный ток.
• I_FSM - Ударный прямой ток.
• I_R(AV) - Средний обратный ток.
• V_F - Максимальное падение напряжения на открытом диоде.
• I_R - Постоянный обратный ток при номинальном обратном напряжении.
• t_rr - Время обратного восстановления.
• C_J - Емкость перехода диода.
• T_j - Температура перехода диода.